STMicroelectronics STP110N10F7 MOSFET 1 N-Kanal 150W TO-220

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STM Leistungs-MOSFETs STP_ TO220

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STripFETTM VII DeepGATETM Leistungs-MOSFET Diese Bauelemente nutzen die 7. Generation der Designregeln der STripFETTM-Technologie mit einer neuen Gate-Struktur von ST. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist den niedrigsten RDS(on) in allen Gehäusen auf. Merkmale Extrem niedriger Einschaltwiderstand 100% Avalanche getestet Anwendungen Schaltanwendungen

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